双向可控硅介绍
2017-9-7 14:57:46
双向可控硅可以用门极和第一阳极之间的正向或负向电流触发。因而能在四个"象限"触发。
缺点:
(1)、高IGT 需要高峰值IG。
(2)、由IG触发到负载电流开始流动,两者之间迟后时间较长;要求IG维持较长时间。
(3)、低得多的dit/dt承受能力;若控制负载具有高di/dt值(例如白炽灯的冷灯丝),门极可能发生强烈退化。
(4)、高IL值;对于很小的负载,若在电源半周起始点导通,可能需要较长时间的IG,才能让负载电流达到较高的IL。